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70V658S10BF8

Mfr#	70V658S10BF8
Mfr.	IDT (Integrated Device Technology)
説明	IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
RoHS ステータス	リード/ RoHS非対応
より詳しい情報	IDT (Integrated Device Technology) 70V658S10BF8について

仕様書	1.70V658S10BF8.pdf
	2.70V658S10BF8.pdf

説明

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製品パラメータ
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部品型番	70V658S10BF8
メーカー	IDT (Integrated Device Technology)
説明	IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
フリーステータス/ RoHS状態	リード/ RoHS非対応
在庫あり	449 pcs
仕様書	1.70V658S10BF8.pdf 2.70V658S10BF8.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	10ns
電源電圧 -	3.15 V ~ 3.45 V
技術	SRAM - Dual Port, Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ	208-CABGA (15x15)
シリーズ	-
パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	208-LFBGA
他の名前	IDT70V658S10BF8 IDT70V658S10BF8-ND
運転温度	0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)
メモリタイプ	Volatile
記憶容量	2Mb (64K x 36)
メモリインタフェース	Parallel
メモリ形式	SRAM
メーカーの標準リードタイム	10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
ベース部品番号	IDT70V658
アクセス時間	10ns