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TC58BVG2S0HTAI0 Image
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TC58BVG2S0HTAI0

Mfr# TC58BVG2S0HTAI0
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
説明 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HTAI0について
仕様書 TC58BVG2S0HTAI0.pdf

説明

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部品型番 TC58BVG2S0HTAI0
メーカー Toshiba Memory America, Inc.
説明 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 8091 pcs
仕様書 TC58BVG2S0HTAI0.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
電源電圧 - 2.7 V ~ 3.6 V
技術 FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ 48-TSOP I
シリーズ Benand™
パッケージング Tray
パッケージ/ケース 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
他の名前 TC58BVG2S0HTAI0B4H
TC58BVG2S0HTAI0YCJ
運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 3 (168 Hours)
メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 4Gb (512M x 8)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
アクセス時間 25ns

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