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TC58CYG0S3HRAIG

Mfr# TC58CYG0S3HRAIG
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
説明 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 Toshiba Memory America, Inc. TC58CYG0S3HRAIGについて
仕様書

説明

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部品型番 TC58CYG0S3HRAIG
メーカー Toshiba Memory America, Inc.
説明 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 9329 pcs
仕様書
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
電源電圧 - 1.7 V ~ 1.95 V
技術 FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ 8-WSON (6x8)
シリーズ -
パッケージ/ケース 8-WDFN Exposed Pad
運転温度 -40°C ~ 85°C
装着タイプ Surface Mount
メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 2Gb (256M x 8)
メモリインタフェース SPI
メモリ形式 FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
クロック周波数 104MHz

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