まず  ページプロダクトセンター集積回路 (ic)メモリTH58BYG3S0HBAI6
画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

TH58BYG3S0HBAI6

Mfr# TH58BYG3S0HBAI6
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
説明 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG3S0HBAI6について
仕様書 TH58BYG3S0HBAI6.pdf

説明

我々はTH58BYG3S0HBAI6を供給することができます、TH58BYG3S0HBAI6 pirceとリードタイムを要求するために要求見積もり書を使用します。 NewBueはプロの電子部品販売代理店です。利用可能な電子部品の700万以上の品目で、短納期で出荷可能で、部品番号TH58BYG3S0HBAI6を含む、納入時に25万部を超える電子部品が在庫に含まれている場合があります。今日、私達に連絡しなさいそして私達の販売代理店は部品＃TH58BYG3S0HBAI6のあなたに価格そして配達を提供する。私達は長期的な協力関係を築くためにあなたと働くことを楽しみにしている。
すべての必須フィールドに連絡先情報を入力してください。 「RFQ」をクリックしてください、そして、我々はできるだけ早く電子メールであなたに連絡するか、我々に電子メールを送ってください：。
  • 在庫あり:3707 pcs
  • ご注文:0 pcs
  • 最小注文:1 pcs
  • 最小梱包:1 pcs
  • 工場出荷時::Call

以下のフォームを使用して見積依頼を送信してください。

目標価格(USD)
*数量
*モデル
*Eメール
*接触
*電話番号
*会社
メッセージ
部品型番 TH58BYG3S0HBAI6
メーカー Toshiba Memory America, Inc.
説明 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 3707 pcs
仕様書 TH58BYG3S0HBAI6.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
電源電圧 - 1.7 V ~ 1.95 V
技術 FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ 67-VFBGA (6.5x8)
シリーズ Benand™
パッケージ/ケース 67-VFBGA
運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 8Gb (1G x 8)
メモリインタフェース -
メモリ形式 FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 67-VFBGA (6.5x8)

業界ニュース