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画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

RGP10J

Mfr# RGP10J
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 AMI Semiconductor / ON Semiconductor RGP10Jについて
仕様書

説明

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部品型番 RGP10J
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 280204 pcs
仕様書
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.3V @ 1A
電圧 - 逆(VR)(最大) 600V
サプライヤデバイスパッケージ DO-41
速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 250ns
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース DO-204AL, DO-41, Axial
他の名前 RGP10JCT
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Standard
詳細な説明 Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5µA @ 600V
電流 - 平均整流(イオ​​) 1A
Vrと、F @キャパシタンス 15pF @ 4V, 1MHz
ベース部品番号 RGP10J

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